RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
39
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
39
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
2958
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link