RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
24
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
4064
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3L/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link