RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
29
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3392
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link