RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
30
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
30
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
1651
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre 0000 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link