RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
61
77
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
61
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
2028
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link