RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
3096
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link