RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
2548
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link