RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.3
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
52
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
40
Prędkość odczytu, GB/s
10.3
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2390
2031
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link