RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
3230
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link