RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
3080
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link