RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
4122
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link