RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
47
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
47
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2308
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link