RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
37
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
3156
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link