RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
73
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
14.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
73
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
1724
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link