RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
11.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.1
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.6
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2382
3773
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link