RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
48
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1955
3007
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link