RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
3049
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link