RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
4240
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link