RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
41
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
4039
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link