RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
74
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
74
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
1779
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link