RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
41
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3030
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FD 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link