RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
61
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
61
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2113
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link