RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
43
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
3340
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link