RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
43
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
3116
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link