RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
43
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
2231
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link