RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
4124
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link