RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2759
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link