RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
40
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
40
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2965
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link