RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3336
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C11-8GXL 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link