RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
38
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2319
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link