RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2088
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston HP16D3LS1KFG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link