RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2714
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link