RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2438
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link