RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2663
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link