RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3419
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link