RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
52
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.9
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
52
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2306
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link