RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3525
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link