RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3091
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link