RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
43
Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2994
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link