RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
43
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3392
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link