RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3849
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link