RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
43
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2909
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link