RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
43
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2581
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link