RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2806
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link