RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
43
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2981
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link