RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
14900
Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
19200
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
4124
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link