RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
3420
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link