RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
15
46
Wokół strony -207% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
15
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
23.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
21.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
4039
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link