RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
2591
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link