RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
41
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
2087
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link